現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。與 HTRB高溫偏置試驗(yàn)一 一對應(yīng)，AQG324 該規(guī)定了動態(tài)偏置試驗(yàn)，即動態(tài)高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）。
設(shè)備簡介
KC-3105 測試系統(tǒng)中可同時完成HTRB和DHTRB測試，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計(jì)且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時，可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測試需求。
系統(tǒng)優(yōu)勢
高溫高壓高精度：dv/dt>50v/ns、頻率50KHz；
高精度測試：電流分辨率10pA，電壓分辨率100nV；
多參數(shù)測量：Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、Igss漏電流、Idss漏電流、溫度；
多通道測試：高效率80通道測試，每個通道獨(dú)立控制，故障斷開及時，互不影響；
軟件功能
功能完備并有可擴(kuò)展性,基于Windows平臺開發(fā),配備工控機(jī)系統(tǒng)；
數(shù)據(jù)管理功能完整,具有操作界面與上位機(jī),可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)自動保存與生成測試報(bào)告具有漏源極漏電流、溫度等檢測功能；
可對每一個測試器件獨(dú)立控制,包含開始、暫停、繼續(xù)、終止操作功能；
保存與記錄試驗(yàn)數(shù)據(jù),過沖電壓、開關(guān)頻率、漏電流、溫度、故障信號、工作時長、漏源電壓變化率等。
參數(shù)測試
1、Vgsth測試條件： G，D和S之間加管子規(guī)定電流，測試G和S之間的電壓值；電壓值就是閥值電壓。
2、VSD測試條件： G和S之間加反向電壓,D和S之間加反向管子規(guī)定電流，測試D和S之間的電壓值；電壓值就是反向二極管導(dǎo)通電壓。
3、RDS測試條件： G和S之間加正向電壓,D和S之間加正向管子規(guī)定電流，測試D和S之前的電壓值；內(nèi)阻 Rds(mΩ)=Vds / Ids (DS之間電壓/DS流過的電流)。
4、Igss測試條件： G和S之間加管子規(guī)定電壓，D和S接0V，測試出流過G極的電流就是Igss漏電流；
5、Idss測試條件： D和S之間加管子規(guī)定電壓，G和S接0V，測試出流過D極的電流就是Idss漏電流；
老化測試
一、DRB 動態(tài)反偏
1.試驗(yàn)時長time: ≥1000h
2.試驗(yàn)溫度temp: 25℃
3.漏源電壓VDS: ≥0.8Vdsmax
dVDS/dt 取 50V/ns，f≥25kHz;
4.柵源電壓VGS：0V or VGSmin
二、DGB 動態(tài)柵極反偏
1.試驗(yàn)時長time：為10^11次循環(huán)
2.試驗(yàn)溫度temp：25℃
3.漏源電壓VDS：0V
4.柵極電壓VGS：VGS=VGSmax至VGS min，dVGS/dt 取 1V/ns，f≥50kHz
三、HTRB 高溫反偏
1.試驗(yàn)時長time：≥1000h
2.試驗(yàn)溫度temp：最高結(jié)溫
3.漏源電壓VDS：≥0.8Vdsmax
4.柵源電壓VGS：0V or VGSmin
四、HTGB 高溫柵極反偏
1.試驗(yàn)時長：≥1000h
2.試驗(yàn)溫度：最高結(jié)溫
3.VDS漏源電壓：0V
4.柵極電壓：VGS=VGSmax(正柵極電壓測量50%DUT) VGS=VGSmin(負(fù)柵極電壓測量50%DUT)
保護(hù)功能
上電自測:可實(shí)現(xiàn)器件防呆,電路狀態(tài)；
保護(hù)功能:對于帶電、高溫開箱、過溫、測試電參數(shù)異常、驅(qū)動電路故障等可實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能；
故障隔離:可實(shí)現(xiàn)組間的獨(dú)立性控制,出現(xiàn)故障斷開及時,不影響其他器件工作。
系統(tǒng)構(gòu)成圖
參考標(biāo)準(zhǔn)
AQG 324 機(jī)動車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單元用功率模塊的驗(yàn)證
AEC Q101車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗(yàn)證
軟件界面
技術(shù)參數(shù)
